Николай Басов. Опережая настоящее

Полупроводниковые лазеры Именно с полупроводниковых лазеров Н.Г. Басов начал свои работы в области источников когерентного излучения оптического диапазона. Выполненная (совместно с О.Н. Крохиным и Ю.М. Поповым) в начале 1961 года работа «Получение состояний с отрицательной температурой в p - n - переходах вырожденных полупроводников» положила начало созданию и развитию так называемых инжекционных лазеров, нашедших в настоящее время, пожалуй, самое широкое применение. Эта работа фактически предвосхитила основные пути, по которым стали развиваться лазеры этого типа. В ней указывалось на волноводный характер активной области в таком лазере и предсказывалось снижение пороговой плотности тока в инжекционном лазере, когда полупроводники, образующие p - n - переход, имеют различную ширину запрещённой зоны (гетеропереходы). Титульный лист отчёта по теме «Применение квантовых систем для генерации, усиления и индикации оптического излучения».